根据东芝的官方消息,东芝存储个人零售产品将从2020年4月以铠侠新形象问世。
不久前,铠侠株式会社该公司已成功开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH三维(3D)闪存。铠侠计划开始在2020年第一季度为特定应用提供样品,新产品具有512 Gb(64千兆字节)容量并采用TLC(每单元3位数据)技术*1。这款新产品旨在满足对各种应用不断增长的位需求,包括传统移动设备、消费类和企业类固态硬盘(SSD)、新的5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶车辆。
铠侠表示,创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合,与96层堆叠工艺相比,将存储单元阵列密度提高约20%。因此,每片硅晶圆可以制造的存储容量更高,从而也降低了每位的成本(Bit-cost)。此外,它将接口速度提高50%,并提供更高的写性能和更短的读取延迟。